Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容器
發(fā)布時間:2024-11-06 09:09:59 瀏覽:2100
Vishay CBA系列MOS電容器包含四個不同容量的電容器,容量以二進(jìn)制增量配置,允許用戶在值選擇上有很多選擇。該系列有兩種版本:一種總電容為3.75 pF,另一種總電容為15 pF。

| WV(DC)VALUES AND TOLERANCES | |||
| CAPACITOR MODEL | CBA 3.75 pF | CBA 15 pF | UNIT |
| Case Slze | 0203 | 0203 | |
| Total Capacitance | 3.75 | 15 | pF |
| Capacitance Values | 0.25,0.50,1.0,2.0 | 1.0,2.0,4.0,8.0 | pF |
| Tolerance | ±25 | ±10 | % |
| DC Working Voltage | 100 | 30 | V |
產(chǎn)品特點:
可進(jìn)行線焊
用戶可自行選擇電容器的值
四個電容器共用一個連接
電容范圍:0.25 pF至15 pF,以二進(jìn)制增量遞增
介質(zhì)材料:二氧化硅
芯片尺寸:0.019" x 0.030"(約0.48 mm x 0.75 mm)
基板材料:帶有金背襯的硅
應(yīng)用領(lǐng)域:
CBA系列電容器設(shè)計用于混合封裝,其中微波電路需要微調(diào)。通過選擇所需電容的焊盤并使用傳統(tǒng)線焊技術(shù)來實現(xiàn)。
電氣規(guī)格:
電容范圍:0.25至15 pF
最大工作電壓:100V
25°C時的峰值電壓:工作電壓的1.5倍
1kHz、1VRMS、25°C時的介電損耗因數(shù):最大0.1%
1mHz、50mVRMS、25°C時的Q值:至少1000
從-55°C至+150°C的溫度系數(shù)(TCC):+15 ± 25 ppm/°C
工作電壓下25°C時的絕緣電阻:至少10^9 Ω
工作溫度范圍:-55至+150°C
訂購指南:

型號:
CBA3750CLAKWS
CBA3750CLGHWS
CBA1500BKGHWS
CBA7500CLAHWS
CBA3750CMAHWS
CBA3750CLAHFW
CBA1101500BKFW
CBA0141500BKWS
CBA0023750CLWS
CBA3750CLGKWS
CBA3750CLAHWS
CBA1500BKGKWS
CBA1500BKAKWS
CBA1500BKAHWS
CBA1500BKAHFW
CBA3750CLAHHW
CBA3450CLAHHW
CBA1101500BKWS
CBA0561500BKWS
CBA0193750CLWS
推薦資訊
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D轉(zhuǎn)換器),簡稱ADC,通常情況下是一種將模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的電子元器件。由于數(shù)字信號本質(zhì)上沒有實際意義,它只表述一個相對性大小。為此,任何的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器都需要一個參照模擬用作轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,更普遍的參照標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定是最大可轉(zhuǎn)換信號大小。輸出數(shù)字量表述輸入信號相對性于參照信號的大小。
根據(jù)NVIDIA和AMD宣布的技術(shù)路線圖,GPU將于2018年進(jìn)入12 nm/7nm工藝。目前,AI、與采礦機相關(guān)的FPGA和ASIC芯片也在使用10~28 nm的先進(jìn)工藝。國內(nèi)制造商已經(jīng)出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線、比特大陸等優(yōu)秀的集成電路設(shè)計制造商以實現(xiàn)突破,而制造主要依靠臺積電和其他先進(jìn)工藝合同制造商。
在線留言