F3L150R07W2E3_B11三級相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌
發(fā)布時間:2024-04-26 09:15:51 瀏覽:1712

F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飛凌公司推出的三級相位支路IGBT模塊,具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢:
特征描述:
1. 采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT技術(shù),提高了阻斷電壓能力,達(dá)到650V;
2. 低電感設(shè)計,有助于減少系統(tǒng)中的電磁干擾;
3. 低開關(guān)損耗,有助于提高效率和節(jié)能;
4. 低 VCEsat,減少了功率損耗;
5. 采用低熱阻Al2O3基板,有助于散熱,提高性能穩(wěn)定性;
6. 緊湊型設(shè)計,占用空間小,適合需要高集成度的應(yīng)用;
7. PressFIT 壓接技術(shù),方便安裝維護(hù);
8. 集成的安裝夾使安裝更堅固,提高了系統(tǒng)的可靠性。
優(yōu)勢:
1. 緊湊模塊的概念,適合空間有限的應(yīng)用場合;
2. 優(yōu)化客戶的開發(fā)周期,降低成本,有助于客戶節(jié)約時間和成本;
3. 靈活的配置,可以滿足不同客戶的需求,提供個性化的選擇。
| onfiguration | 3-level |
| Dimensions (width) | 48 mm |
| Dimensions (length) | 56.7 mm |
| Features | PressFIT ; Phase leg |
| Housing | EasyPACK? 2B |
| IC(nom) / IF(nom) | 150 A |
| IC max | 150 A |
| Qualification | Industrial |
| Technology | IGBT3 - E3 |
| VCE(sat) (Tvj=25°C typ) | 1.45 V |
| VCES / VRRM | 650 V |
| VF (Tvj=25°C typ) | 1.55 V |
| Voltage Class max | 650 V |
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
推薦資訊
IPC100N04S5-1R2是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,屬于OptiMOS? 5系列,專為汽車應(yīng)用設(shè)計。該器件通過AEC-Q101認(rèn)證,具有1.2 mΩ的低導(dǎo)通電阻和100 A的高連續(xù)漏極電流,適合高效率和高性能的汽車系統(tǒng)。產(chǎn)品參數(shù)包括40 V的漏源電壓、100 A的連續(xù)漏極電流、400 A的脈沖漏極電流、480 mJ的單次脈沖雪崩能量、±20 V的柵源電壓、150 W的功耗。
VISHAY 564R和565R系列陶瓷單層直流圓盤電容器,電壓范圍2-7.5kVDC,適用于照明鎮(zhèn)流器、開關(guān)電源等高壓場景。具有低損耗、高容量小尺寸、高穩(wěn)定性及徑向引腳設(shè)計等特性,電容范圍10pF-0.1μF,絕緣電阻最高達(dá)200,000MΩ@7.5kVDC。采用鍍銀陶瓷圓盤和鍍錫銅引腳,提供多種容差(±10%/±20%等)及溫度適應(yīng)性(-25°C至+105°C),介質(zhì)強(qiáng)度最高達(dá)11,250VDC,符合UL 94 V-0阻燃標(biāo)準(zhǔn)。
在線留言