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Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET

發布時間：2024-04-11 09:25:34     瀏覽：1606

　　Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN這款單P溝道MOSFET產品具備多種出色的特性和應用。它擁有抗輻射能力，能夠承受高達100 krad(Si)TID的輻射水平。在電氣性能上，該產品具有-60V的電壓等級和-0.53A的輸出電流。其采用單通道設計，同時提供P溝道功能，以及UB封裝-UBN的封裝形式。

Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET

　　此外，JANSR2N7626UBN還具有多種顯著特性，如單粒子效應(SEE)強化、5V CMOS和TTL兼容性、快速切換能力、低總澆口電荷、簡單的驅動要求以及密封設計。它采用表面貼裝方式，具有重量輕的優點，并且提供了互補的N溝道型號，如IRHLUB770Z4、IRHLUBN770Z4、IRHLUBC770Z4和IRHLUBCN770Z4。此外，該產品還具有0級的ESD等級，符合MIL-STD-750方法1020標準。

　　在應用領域方面，JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET適用于多種場景，包括用于FPGA、ASIC和DSP內核軌的負載點(PoL)轉換器、同步整流、有源ORing電路、配電電路以及負載開關等。

　　產品型號：

Part numberPackageScreening LevelTID Level
RHLUB7970Z4UBCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBUBJANS100 krad(Si)
RHLUB7930Z4UBCOTS300 krad(Si
JANSF2N7626UBUBJANS300 krad(Si
RHLUBN7970Z4UBNCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBNUBNJANS100 krad(Si)
RHLUBN7930Z4UBNCOTS300 krad(Si)
JANSF2N7626UBNUBNJANS300 krad(Si)
RHLUBC7970Z4UBCCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBCUBCJANS100 krad(Si)
RHLUBC7930Z4UBCCOTS300 krad(Si)
JANSF2N7626UBCUBCJANS300 krad(Si)
RHLUBCN7970Z4UBCNCOTS100 krad(Si)
JANSR2N7626UBCNUBCNJANS100 krad(Si)
RHLUBCN7930Z4UBCNCOTS300 krad(Si)
JANSF2N7626UBCNUBCNJANS300 krad(Si)

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